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DMP21D2UFA-7B

功能描述：MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：330mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.8nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：49pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 200mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：X2-DFN0806-3

封装/外壳：3-XFDFN

标准包装：1

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